BSC883N03MSGATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSC883N03MSGATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 34V 19A/98A TDSON |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8-1 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 57W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 34 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 19A (Ta), 98A (Tc) |
BSC883N03MSGATMA1 Einzelheiten PDF [English] | BSC883N03MSGATMA1 PDF - EN.pdf |
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2024/05/17
2024/09/9
2024/05/21
2023/12/20
BSC883N03MSGATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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